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IPS65R600E6AKMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V TO-251-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ E6
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPS65R1K0CE International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 12717
IPS65R1K0CE MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2206
IPS65R1K0CEAKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2606
IPS65R1K0CEAKMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2578
IPS65R1K4C6 INFINEO CIs Calientes Especializados 10391
IPS65R1K4C6 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 7416
IPS65R1K4C6AKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2589
IPS65R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPS65R1K5CE INFINEO CIs Calientes Especializados 6480
IPS65R1K5CE 65CE1K5 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 389

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