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IPP80P04P407AKSA1
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IPP80P04P407AKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH TO220-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 80A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6085pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IPP80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP80CN10N | Infineon | CIs Calientes Especializados | 2622 |
IPP80CN10N G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 32500 |
IPP80CN10NG | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2557 |
IPP80CN10NG MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5285 |
IPP80CN10NG(80CN10N) | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2707 |
IPP80CN10NGHKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2581 |
IPP80N03S4L-03 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10253 |
IPP80N03S4L-04 | I | CIs Calientes Especializados | 50000 |
IPP80N03S4L03AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2773 |
IPP80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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