IPP60R099C6XKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.21mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2660pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 18.1A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPP60R099C6 IPP60R099C6-ND SP000687556
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 119nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37.9A (Tc)
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IPP600N25N3G INFINEO CIs Calientes Especializados 2703
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