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IPP50R520CPHKSA1
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IPP50R520CPHKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 3.8A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 66W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.1A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP50CN10N G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 395 |
IPP50CN10NG | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 582 |
IPP50CN10NGXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2517 |
IPP50N10S3L-16 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10416 |
IPP50N10S3L16AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2741 |
IPP50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP50N12S3L15AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2718 |
IPP50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP50R140CP | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 885 |
IPP50R140CP 5R140P | Original | CIs Calientes Especializados | 2551 |
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