IPP50R199CPXKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 550V 17A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 139W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPP50CN10N G INFINEO CIs Calientes Especializados 395
IPP50CN10NG INFINEON CIs Calientes Especializados 582
IPP50CN10NGXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2517
IPP50N10S3L-16 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10416
IPP50N10S3L16AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2741
IPP50N10S3L16AKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPP50N12S3L15AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2718
IPP50N12S3L15AKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPP50R140CP INFINEON CIs Calientes Especializados 885
IPP50R140CP 5R140P Original CIs Calientes Especializados 2551

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