IPP200N25N3GXKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 64A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPP200N25N3 G IPP200N25N3 G-ND IPP200N25N3G SP000677894
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPP200N15N3 INFINEO CIs Calientes Especializados 32417
IPP200N15N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 32918
IPP200N15N3G INFINEO CIs Calientes Especializados 7279
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