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IPP05CN10L G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15600pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 163nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPP05' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPP050N06N G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 806
IPP050N06NG IGBT Module Módulos IGBT 2820
IPP050NE7N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 28
IPP051N15N5 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 14729
IPP051N15N5 IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1189
IPP051N15N5 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 449048
IPP051N15N5AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2710
IPP051N15N5AKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPP052N06L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 963
IPP052N06L3 G Infineon CIs Calientes Especializados 29111

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