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IPI80P04P4L04AKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH TO262-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO262-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 176nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPI80CN10N G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2694
IPI80CN10NG inf CIs Calientes Especializados 1401
IPI80N03S4L03AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2693
IPI80N03S4L03AKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPI80N03S4L04AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2519
IPI80N04S204AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2731
IPI80N04S204AKSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2569
IPI80N04S2H4AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2729
IPI80N04S2H4AKSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2624
IPI80N04S3-03 INFINEON CIs Calientes Especializados 2483

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