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IPI530N15N3GXKSA1
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IPI530N15N3GXKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 18A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 887pF @ 75V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPI530N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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