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IPI530N15N3GXKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 887pF @ 75V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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