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IPI200N25N3 G
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IPI200N25N3 G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 64A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IPI20" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPI20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPI200N15N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2762 |
IPI200N15N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 11601 |
IPI200N25N3GAKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2567 |
IPI200N25N3GAKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPI20N65C3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 50 |
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