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IPI12CN10N G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.9 mOhm @ 67A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4320pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 67A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPI120N04S302AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2683
IPI120N04S302AKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPI120N04S4-01 INF CIs Calientes Especializados 8800
IPI120N04S4-01M International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
IPI120N04S4-02 INF CIs Calientes Especializados 14799
IPI120N04S401AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2793
IPI120N04S401AKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPI120N04S402AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2607
IPI120N04S402AKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPI120N06S4-02 INF CIs Calientes Especializados 8800

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