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IPI11N03LA Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1358pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPI110N20N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 517
IPI110N20N3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 342
IPI110N20N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 273
IPI110N20N3GAKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2739
IPI110N20N3GAKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPI111N15N3 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 491
IPI111N15N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1831
IPI111N15N3GAKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2669
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