IPI100P03P3L-04 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9300pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPI100N04S3-03 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 855
IPI100N04S3-03 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 756
IPI100N04S3-03M MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1138
IPI100N04S303AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2525
IPI100N04S4H2AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2715
IPI100N04S4H2AKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPI100N06S3-03 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2542
IPI100N06S3-04 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2766
IPI100N06S3L-03 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2520
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