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IPI072N10N3GXKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4910pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPI07' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPI070N06N G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
IPI070N08N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2534
IPI072N10N3G INFINEON CIs Calientes Especializados 494
IPI072N10N3GXK International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2732
IPI075N15N3 INFINEO CIs Calientes Especializados 2242
IPI075N15N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 630
IPI075N15N3G inf CIs Calientes Especializados 534
IPI075N15N3GHKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2765
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