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IPI037N08N3GXKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 80V 100A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package PG-TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8110pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPI03' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPI030N10N3GHKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2725
IPI030N10N3GXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2748
IPI030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPI032N06N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2521
IPI032N06N3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2836
IPI032N06N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2700
IPI032N06N3G(032N06N) INFINEON CIs Calientes Especializados 2625
IPI032N06N3GAKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2667
IPI032N06N3GAKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPI033NE7N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 45

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