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IPD90N04S404ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 71W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD90N03S4L-02 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7165
IPD90N03S4L-02 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1718
IPD90N03S4L-03 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 31040
IPD90N03S4L-03 4N03L03 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2885
IPD90N03S4L02ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5226
IPD90N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD90N03S4L03ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2732
IPD90N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD90N04S03-04 infineon CIs Calientes Especializados 971
IPD90N04S3-04 infineon CIs Calientes Especializados 34275

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