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IPD80R600P7ATMA1
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IPD80R600P7ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ P7 |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 500V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 800V 8A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | IPD80R600P7ATMA1CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
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Otros incluyen "IPD80" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD800N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 5409 |
IPD800N06N G | infineon | CIs Calientes Especializados | 10433 |
IPD800N06N G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10349 |
IPD800N06NG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 57724 |
IPD800N06NG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2559 |
IPD800N06NGBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2645 |
IPD800N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD80N04S3-06 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 55851 |
IPD80N04S3-06 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 14387 |
IPD80N04S3-06 QN0406 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1672 |
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