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IPD80R3K3P7ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max) 18W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 500V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 1.9A (Tc) 18W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 590mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPD80R3K3P7ATMA1TR SP001636440
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
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Otros incluyen   "IPD80"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD80' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD800N06N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5409
IPD800N06N G infineon CIs Calientes Especializados 10433
IPD800N06N G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10349
IPD800N06NG INFINEO CIs Calientes Especializados 57724
IPD800N06NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2559
IPD800N06NGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
IPD800N06NGBTMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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