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IPD65R600C6 Especificaciones técnicas

IPD65R600C6 Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
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IPD65R600C6 Documentos

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Otros incluyen   "IPD65"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD65' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD65R190C7 inf CIs Calientes Especializados 700
IPD65R190C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2704
IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD65R1K0CE IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 294
IPD65R1K0CEAUMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799
IPD65R1K4C6 INFINEO CIs Calientes Especializados 1631
IPD65R1K4C6ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2568
IPD65R1K4CFD INFINEO CIs Calientes Especializados 6300
IPD65R1K4CFDATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2578
IPD65R1K4CFDBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2748

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