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IPD60R800CEATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ CE
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 2A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 373pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Tc)
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Otros incluyen   "IPD60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD600N25N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 2283
IPD600N25N3G INFINEO CIs Calientes Especializados 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON CIs Calientes Especializados 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5358
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD600N25N3GBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
IPD60N10S4-12 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2091
IPD60N10S412ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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