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IPD60R450E6BTMA1
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IPD60R450E6BTMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 9.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 3.4A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | IPD60R450E6BTMA1CT IPD60R450E6CT IPD60R450E6CT-ND |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
IPD60R450E6BTMA1 Documentos
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Otros incluyen "IPD60" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD600N25N3 G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2283 |
IPD600N25N3G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 5277 |
IPD600N25N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2838 |
IPD600N25N3G(600N25N) | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2603 |
IPD600N25N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5358 |
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD600N25N3GBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2570 |
IPD60N10S4-12 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2091 |
IPD60N10S412ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2571 |
IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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