IPD60R450E6BTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 280µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 9.2A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 3.4A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names IPD60R450E6BTMA1CT IPD60R450E6CT IPD60R450E6CT-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD600N25N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 2283
IPD600N25N3G INFINEO CIs Calientes Especializados 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON CIs Calientes Especializados 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5358
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