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IPD60R385CPBTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 9A TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385 mOhm @ 5.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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Otros incluyen   "IPD60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD600N25N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 2283
IPD600N25N3G INFINEO CIs Calientes Especializados 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON CIs Calientes Especializados 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5358
IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD600N25N3GBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
IPD60N10S4-12 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2091
IPD60N10S412ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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