IPD25N06S4L30ATMA2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1220pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 29W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD250N06N3 G I CIs Calientes Especializados 23098
IPD250N06N3G I CIs Calientes Especializados 104583
IPD250N06N3G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10488
IPD250N06N3GBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2559
IPD25CN10N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 32363
IPD25CN10N G infineon CIs Calientes Especializados 37290
IPD25CN10NG I CIs Calientes Especializados 347
IPD25CN10NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 620
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