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IPD170N04NGBTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 31W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD170N04NGBTMA1

Otros incluyen   "IPD17"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD17' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD170N04N G I CIs Calientes Especializados 10416
IPD170N04NG INFINEON CIs Calientes Especializados 2484
IPD170N04NG MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10242

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