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IPD16CNE8N G
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IPD16CNE8N G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 53A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IPD16'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD160N04L | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 32363 |
IPD160N04L G | I | CIs Calientes Especializados | 28736 |
IPD160N04L G 160N04L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 388 |
IPD160N04LG | I | CIs Calientes Especializados | 6601 |
IPD160N04LGBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2676 |
IPD16CN10N | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 32363 |
IPD16CN10N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32841 |
IPD16CN10N G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10604 |
IPD16CN10NG | infineon/ | CIs Calientes Especializados | 37340 |
IPD16CN10NG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1809 |
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