IPD16CNE8N G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 61µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 53A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3230pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 53A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD160N04L INFINEON CIs Calientes Especializados 32363
IPD160N04L G I CIs Calientes Especializados 28736
IPD160N04L G 160N04L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 388
IPD160N04LG I CIs Calientes Especializados 6601
IPD160N04LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2676
IPD16CN10N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 32363
IPD16CN10N G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32841
IPD16CN10N G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10604
IPD16CN10NG infineon/ CIs Calientes Especializados 37340
IPD16CN10NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1809

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