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IPD15N06S2L64ATMA1
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IPD15N06S2L64ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 13A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 354pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
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Otros incluyen "IPD15" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD15'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD15N03L | infineon | CIs Calientes Especializados | 16488 |
IPD15N03L MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10598 |
IPD15N03LA | Original | CIs Calientes Especializados | 4379 |
IPD15N06S2L-64 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 54574 |
IPD15N06S2L-64 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 7087 |
IPD15N06S2L64ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD15N06S2L64ATMA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 50476 |
IPD15N06S2L64ATMA2 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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