IPD15N06S2L64ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 14µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 354pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 47W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD15N03L infineon CIs Calientes Especializados 16488
IPD15N03L MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10598
IPD15N03LA Original CIs Calientes Especializados 4379
IPD15N06S2L-64 INFINEO CIs Calientes Especializados 54574
IPD15N06S2L-64 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 7087
IPD15N06S2L64ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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