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IPD09N03LA G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1642pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD090N03 inf CIs Calientes Especializados 16
IPD090N03L INFINEO CIs Calientes Especializados 8004
IPD090N03L G INFINEO CIs Calientes Especializados 39393
IPD090N03L G IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3144
IPD090N03L MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 30448
IPD090N03LA VB CIs Calientes Especializados 5000
IPD090N03LAG INFINEO CIs Calientes Especializados 11518
IPD090N03LG INFINEO CIs Calientes Especializados 23807
IPD090N03LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 130171
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