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IPD082N10N3GBTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 73A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Otros incluyen   "IPD08"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD08' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD082N10N3 G INFINEO CIs Calientes Especializados 32753
IPD082N10N3G infineon CIs Calientes Especializados 58780
IPD082N10N3G 082N10N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3631
IPD082N10N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2706
IPD082N10N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2418
IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD088N04L G INFINEON CIs Calientes Especializados 21373
IPD088N04LG Infineo CIs Calientes Especializados 9659
IPD088N04LG MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5602
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