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IPD06N03LB G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPD06' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD060N03L INFINEO CIs Calientes Especializados 1465
IPD060N03L G INFINEO CIs Calientes Especializados 100085
IPD060N03L MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 50462
IPD060N03LG INFINEO CIs Calientes Especializados 1417
IPD060N03LG 060N03L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1245
IPD060N03LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 546
IPD060N03LG(060N03L) INFINEO CIs Calientes Especializados 2790
IPD060N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2524
IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD060N03LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787

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