IPD053N08N3GATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD050N03L VB CIs Calientes Especializados 11740
IPD050N03L G I CIs Calientes Especializados 51664
IPD050N03L MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2820
IPD050N03LG INFINEO CIs Calientes Especializados 34378
IPD050N03LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 499
IPD050N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2616
IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD050N03LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
IPD050N06S INFINEON CIs Calientes Especializados 2568
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