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IPD03N03LA G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 90A TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 70µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD030N03L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 588
IPD031N03L INFINEON CIs Calientes Especializados 2646
IPD031N03L G INFINEO CIs Calientes Especializados 959
IPD031N03LG I CIs Calientes Especializados 24205
IPD031N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2788
IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD031N03LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2521
IPD031N03M G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2511
IPD031N0623G INFINEO CIs Calientes Especializados 6300
IPD031N06L 031N06L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1133

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