IPD036N04L G Especificaciones técnicas

IPD036N04L G Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 45µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPD03' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD030N03L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 588
IPD031N03L INFINEON CIs Calientes Especializados 2646
IPD031N03L G INFINEO CIs Calientes Especializados 959
IPD031N03LG I CIs Calientes Especializados 24205
IPD031N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2788
IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD031N03LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2521
IPD031N03M G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2511
IPD031N0623G INFINEO CIs Calientes Especializados 6300
IPD031N06L 031N06L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1133

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