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IPC26N12NX1SA1
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IPC26N12NX1SA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 244µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | - |
Other Names | SP000296743 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tj) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | - |
Supplier Device Package | Sawn on foil |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
Package / Case | Die |
Operating Temperature | - |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 120V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPC26N12NX2SA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
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