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IPC100N04S5L1R5ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 60µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™, Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5345pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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