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IPB80P04P4L04ATMA1
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IPB80P04P4L04ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH TO263-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 80A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IPB80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB80CN10NG | INEONI | CIs Calientes Especializados | 12872 |
IPB80N03S4L-02 | INF | CIs Calientes Especializados | 10256 |
IPB80N03S4L-02 4N03L02 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1151 |
IPB80N03S4L-03 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13397 |
IPB80N03S4L-03 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1620 |
IPB80N03S4L02ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2752 |
IPB80N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB80N03S4L03ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16948 |
IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB80N04S2-04 | I | CIs Calientes Especializados | 2590 |
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