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IPB80N06S2LH5ATMA4 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPB80' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB80CN10NG INEONI CIs Calientes Especializados 12872
IPB80N03S4L-02 INF CIs Calientes Especializados 10256
IPB80N03S4L-02 4N03L02 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1151
IPB80N03S4L-03 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13397
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