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IPB65R310CFDAATMA1
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IPB65R310CFDAATMA1
Fabricante : International Rectifier (Infineon Technologies)
Parte # : IPB65R310CFDAATMA1
RoHS : RoHS
Ficha de datos :
Descripción : MOSFET N-CH TO263-3
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IPB65R310CFDAATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH TO263-3
| Atributo del producto | Valor de atributo |
|---|---|
| Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
| Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Factory Lead Time | 3 Weeks |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 440µA |
| Supplier Device Package | PG-TO263 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 100V |
| FET Type | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Atributo del producto | Valor de atributo |
|---|---|
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Pbfree Code | yes |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Power Dissipation (Max) | 104.2W (Tc) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| FET Feature | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
IPB65R310CFDAATMA1 Documentos
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