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IPB65R110CFDAATMA1
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IPB65R110CFDAATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH TO263-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Supplier Device Package | PG-TO263 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 277.8W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
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