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IPB60R380P6ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 320µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P6
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 3.8A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 877pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.6A (Tc)
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Otros incluyen   "IPB60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPB60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB600N25N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23218
IPB600N25N3G INFINOE CIs Calientes Especializados 8926
IPB600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 493
IPB600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2621
IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB60R040C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2558
IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB60R045P7 INEONI CIs Calientes Especializados 12763
IPB60R060C7 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 12825
IPB60R060C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2775

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