IPB50R140CPATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 930µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2540pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 550V 23A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 14A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB50R140CP IPB50R140CP-ND IPB50R140CPATMA1TR IPB50R140CPTR-ND SP000212746
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
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IPB50CN10N G INFINEON CIs Calientes Especializados 23023
IPB50CN10NG INFINEO CIs Calientes Especializados 9449
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