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IPB47N10SL26ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2mA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 33A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 175W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB47N10S-33 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15149
IPB47N10S-33 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 709
IPB47N10S-33 N1033 INFINEO CIs Calientes Especializados 2577
IPB47N10S33ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2570
IPB47N10SL-26 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14048
IPB47N10SL-26 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1356
IPB47N10SL26ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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