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IPB45N04S4L08ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6 mOhm @ 45A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2340pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
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Otros incluyen   "IPB45"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPB45' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB45N04S4L-08 VB CIs Calientes Especializados 1000
IPB45N04S4L-08 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 471
IPB45N06S3-16 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1967
IPB45N06S3L-13 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2595
IPB45N06S4-09 INFINEO CIs Calientes Especializados 50442
IPB45N06S4-09 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1308
IPB45N06S409ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2671
IPB45N06S409ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2604
IPB45N06S409ATMA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB45N06S4L-08 VB CIs Calientes Especializados 9247

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