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IPB26CNE8N G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 39µA
Supplier Device Package PG-TO-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 35A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 71W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB260N06N3 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 32363
IPB260N06N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 24000
IPB260N06N3G VB CIs Calientes Especializados 19680
IPB260N06N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2784
IPB26CN10 Original CIs Calientes Especializados 10400
IPB26CN10N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 30
IPB26CN10N G INFINEON CIs Calientes Especializados 23014
IPB26CN10NG INFINEO CIs Calientes Especializados 40584
IPB26CN10NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 442
IPB26CN10NGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2608

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