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IPB230N06L3GATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package PG-TO263-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPB23' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB230N06L3 G I CIs Calientes Especializados 18744
IPB230N06L3G INF CIs Calientes Especializados 37863

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