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IPB13N03LB G
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IPB13N03LB G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Supplier Device Package | P-TO263-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1355pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IPB13" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB13'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB136N08N3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 32363 |
IPB136N08N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22909 |
IPB136N08N3G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 1518 |
IPB13N03LB | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2714 |
IPB13N03LBG | VB | CIs Calientes Especializados | 37363 |
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ICL
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