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IPB120P04P4L03ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 340µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 234nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB120N03S4L03ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13693
IPB120N04S3-02 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4485
IPB120N04S4-01 INF CIs Calientes Especializados 9380
IPB120N04S4-02 INF CIs Calientes Especializados 69288
IPB120N04S4-02 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5129
IPB120N04S4-02(4N0402) INFINEO CIs Calientes Especializados 32363
IPB120N04S4-04 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 9325
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