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IPB11N03LA
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IPB11N03LA Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1358pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IPB11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB110N06L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 32363 |
IPB110N06L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
IPB110N06LG | VB | CIs Calientes Especializados | 1000 |
IPB110N20N3LFATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16164 |
IPB110N20N3LFATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB110P06LM | INF | CIs Calientes Especializados | 14033 |
IPB110P06LMATMA1 | INF | CIs Calientes Especializados | 16307 |
IPB114N03L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 32363 |
IPB114N03L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18957 |
IPB114N03LG | VB | CIs Calientes Especializados | 37363 |
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