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IPB100N06S3-04 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14230pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 314nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPB10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB100N04S2-04 INFINEO CIs Calientes Especializados 8299
IPB100N04S2-04 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 4365
IPB100N04S204ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2563
IPB100N04S204ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB100N04S204ATMA4 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14024
IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB100N04S2L-03 INF CIs Calientes Especializados 5114
IPB100N04S2L03ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2514
IPB100N04S2L03ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2760
IPB100N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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