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IPB06N03LB G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Supplier Device Package PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2782pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB060N15N5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2715
IPB065N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33523
IPB065N03LG INFINEO CIs Calientes Especializados 1408
IPB065N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2707
IPB065N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB065N06L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4285
IPB065N06LG VB CIs Calientes Especializados 801
IPB065N10N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2623
IPB065N10N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB065N15N3 INFINEO CIs Calientes Especializados 2593

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