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IPB05N03LAT
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IPB05N03LAT Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 55A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3110pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IPB05" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB05'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
ipb050n06n | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 18291 |
IPB050N06N G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 21304 |
IPB050N06NG | I | CIs Calientes Especializados | 22447 |
IPB050N06NGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2691 |
IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB051NE8N G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 23024 |
IPB051NE8NG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 1481 |
IPB051NE8NG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1331 |
IPB051NE8NG(051NE8N) | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2511 |
IPB052N04N G | Infineo | CIs Calientes Especializados | 18500 |
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